据麦姆斯咨询报道，NANUSENS的NEMS（Nano Electro Mechanical Systems）传感器采用标准的CMOS工艺和掩膜技术制造而成。在NANUSENS的工艺中，使用HF蒸汽（vHF）通过钝化层中的焊盘开口蚀刻金属层间介电质（IMD），以获得纳米传感器的传感结构。然后将孔洞密封，根据需要对芯片进行封装。由于该传感器仅采用了标准的CMOS工艺，并且能够直接和所需要的有源电路集成，因此，这款传感器能够获得和CMOS器件一样的高良率。
Nanusens首席执行官Josep Montanya i Silvestre
麦姆斯咨询 编译
Nanusens称，它们的解决方案将传感器设计尺寸降低了一个数量级，从MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）器件1~2um的线性特征尺寸降低到NEMS的0.3um。这使器件微结构的表面积从两个维度上降低了接近两个数量级，因而显著降低了微观引力，解决了MEMS惯性传感器所面临的黏附问题。近期，我们有幸采访了Nanusens首席执行官Josep Montanyà i Silvestre先生。
Q：你们正在研究什么技术？为什么选择这个技术方案？
Josep Montanya i Silvestre：我们正在开发惯性传感器。我们的技术可以采用CMOS工艺生产许多不同类型的NEMS器件。我们之所以选择从惯性传感器开始，主要出于两个原因。首先，是因为基于之前Baolab Microsystems 的研究成果，以及后来在UPC（加泰罗尼亚理工大学）进行的惯性传感器研究，我们在这些研究工作的基础上进行了继续开发。另一个原因，是我们认识到如果我们能够提供客户一直所追求的——低成本或高性能，这将会是一个很好的商机。目前，我们正在朝着这两个方向开发。目前我们开发进度最快的一款器件，具有更低的成本，我们将率先将其推向市场。之后，我们将开发性能更高的产品。再之后，我们会继续开发惯性传感器之外的其它NEMS器件。本质上来说，我们的技术可以利用CMOS工艺来制造器件，这使我们的市场响应更快。
Nanusens开发的NEMS运动传感器
