虽然成像行业的专家都知道苹果（Apple）公司为其iPhone X设计了一个复杂的3D摄像头——“TrueDepth”，但该模组内包含芯片、组件甚至一直到基板的3D系统内的大部分细节仍然是深沉、黑暗的秘密。
EE Times与Yole进行了访谈，Yole本周完成了与合作伙伴System Plus Consulting的合作，拆解了Apple iPhone X中的 TrueDepth模组。他们推断绝缘体上硅（SOI）晶圆正用于近红外（NIR）图像传感器。他们指出，SOI在提高意法半导体（STMicroelectronics）开发的近红外图像传感器的灵敏度方面发挥了关键作用，以满足苹果严格的要求。
Yole成像和传感器业务负责人Pierre Cambou表示，基于SOI的近红外图像传感器是“SOI非常有趣的一个里程碑”。
位于法国格勒诺布尔（Grenoble）附近所谓的“图像谷”（Imaging Valley）的许多公司都使用由Soitec开发的SOI晶圆，最初是用于背照式（BSI）图像传感器。同时，根据Cambou的报导，近红外图像传感器SOI的研究可以追溯到2005年。
但Cambou点出，苹果采用意法半导体的近红外图像传感器象征着SOI在图像传感器大规模生产方面的开始。 “由于光线的物理尺寸，图像传感器的特点是表面很广。因此，对于像Soitec这样的基板供货商来说，这是一个相当不错的市场。”
与此同时，Yole董事长兼首席执行官Jean-Christophe Eloy告诉EE Times，在设计TrueDepth时，“苹果公司采用了结合意法半导体和ams公司产品优点的两全其美的方式。” 苹果采用了意法半导体的领先的近红外图像传感器，以及来自ams的点光源。 Eloy指出，ams“在其复杂的光学模块方面非常出色”。今年早些时候，ams收购了因基于飞行时间（ToF）技术的光学封装而闻名的Heptagon。
苹果iPhone X 3D摄像头（TrueDepth）成本分析
