所以，在使用DTI之余，苹果为什么要把SOI晶圆用于近红外图像传感器？
从光学的角度来看，Cambou解释说SOI晶圆是有利的，因为绝缘层的功能就像一面镜子。他指出：“红外光穿透深度较大，并且会反射回活性层。”
Cambou指出，从电气角度来说，SOI提高了近红外的灵敏度，主要是因为它能很好地减少像素内的泄漏。改进的灵敏度提供了良好的图像对比。
Cambou说明，对比是重要的，因为“结构化的光线操作容易受到阳光的干扰”。
当然，常规的CMOS图像传感器或近红外传感器“很高兴能有额外的光线，如果目标是要有更好的图像，”Cambou说。但是，当用户试图在明亮的阳光下解锁iPhone X时，光线是一个问题。
Cambou说：“问题在于近红外光投射点与太阳或任何其他光源的环境光的对比。但太阳通常是最大的问题。” 因此，苹果通过采用SOI晶圆来提高近红外的对比度是至关重要的。
当被问及意法半导体的近红外图像传感器是否使用FD-SOI或SOI晶圆时，Cambou表示，研究公司目前还无法判断。
Apple iPhone X 3D摄像头（TrueDepth）中的近红外图像传感器
至于近红外图像传感器，我们是否已知苹果是使用850纳米还是940纳米波长的近红外？
Cambou指出，“我们无法确定哪一个。”然而，他推测，“苹果最有可能像其他人（例如英特尔的RealSense、Facebook、宏达电等）一样使用850纳米，但意法半导体以开发940纳米SPAD光子探测器闻名，所以他们打算在未来转向这个波长是可能的。”
当被问及拆解的意外发现时，Cambou举出意法半导体的近红外图像传感器的尺寸。它的尺寸为25mm^2，由于2.8μm的大型像素尺寸，仅有140万像素。 Cambou指出：“尽管如此，在这个类别中，与通常使用3.0μm到5μm的竞争者相比，这个像素被认为是‘小的’。”
新时代的开始
Yole将iPhone X定位为3D成像新时代的开始。
Cambou同时还认为，苹果正在为近红外图像传感器打造未来。颠出上周宣布收购InVisage Technologies公司的动态，他表示：“我认为，苹果希望InVisage提供近红外图像传感器功能，尽管可能好几种方式可以来解释这一收购。”
Cambou不相信InVisage能够在性能方面与意法半导体的产品相匹配，但它可以为小型化提供解决方案。他提到：”因此，人脸识别技术可以缩小到其它产品，如增强现实（AR）头戴式设备。”
商业影响
一方面，苹果的iPhone X正为如Soitec等SOI晶圆制造商创造巨大的商机。同样重要的是，它已经触发意法半导体别具意义的复出。 Cambou相信意法半导体将成为新兴的ToF摄像头市场的一员。
当然，半导体业务往往受到短暂的繁荣和萧条循环的影响。但是，在移动电话市场上失去诺基亚之后，业务急剧萎缩的意法半导体“已经完成了一个非常优雅的过渡”，Cambou观察。
意法半导体创造了不同类型的图像传感器应用：从CMOS图像传感器转向未来的近红外图像传感器和SPAD传感器，同时利用其资产和内部发展的基础技术。
