逻辑器件
在第八张幻灯片中，我介绍了格罗方德、英特尔、三星和台积电的逻辑器件工艺节点。这四家厂商是逻辑器件工艺领域的领导厂商。应当特别指出的是，英特尔的节点通常等同于其他厂商下一代较小的工艺节点，比如英特尔的10nm和代工厂的7nm差不多。
幻灯片表格下方，左侧显示的是FinFET的横截面，这是当前先进逻辑器件首选的工艺，右侧显示了纳米线和纳米片，预计将在4nm左右时替代FinFET。
在幻灯片9中，我介绍了一些主要的逻辑器件工艺的演变。在这张幻灯片中，我以英特尔／代工厂的两个数字展示工艺节点，如上所述，英特尔的工艺节点和代工厂较小尺寸的工艺节点类似。
在第10张和第11张幻灯片中，我介绍了一些主要的逻辑工艺模块，并讨论了这些模块对清洗和湿条带的需求。
12号幻灯片是逻辑器件章节最后一张幻灯片，介绍了基于台积电工艺节点的清洗步骤数量。当工艺尺寸下降到第一代7nm工艺时，由于增加了掩膜层，再加上多重图案化的复杂性，清洗次数一直在增加，在随后的7nm＋和5nm节点上，由于EUV将显著降低光刻的复杂度，因此消除了许多清洗步骤。
NAND
3D NAND取代了2D NAND，成为NAND产品的技术选择，现在3D NAND的比特出货量也已经超过了2D NAND。3D NAND尺寸的缩减是由层数进行表征的，驱动力来自于层沉积和蚀刻取代了2D NAND中的光刻工艺。
在第13张幻灯片中，我展示了3D NAND的三个主要制造步骤－CMOS制造、存储阵列制造和互联。三星和东芝（NAND产品的头两号供应商）使用的基本存储阵列工艺如右侧图所示。随着层数的增加，存储器阵列必须在“位串堆叠”阶段拆分成多个段。左下图显示了三家领先供应商的层数和位串。
