14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件和NAND的影响

与非网 中字

在第14张和第15张幻灯片中,我介绍了一些主要的3D NAND工艺模块,并讨论了这些模块对清洗和湿条带的需求。

幻灯片16展示了3D NAND的总清洗次数与三星3D NAND工艺的层数。3D NAND清洗次数之所以随着层数增加而增加,主要是因为阶梯成型时的CMP清洗。在第一阶梯掩模之后,每个后续掩模都需要在施加掩膜之前通过CMP清洗将层平坦化。

结论

DRAM工艺尺寸的缩减正在面临基本的物理限制,目前还有没有明确的解决方案,由于印刷需求的推动,DRAM的清洗复杂度也在增加。

随着行业向5nm和3nm的推进,逻辑器件的工艺尺寸将持续缩减。纳米线和纳米片将对清洗带来新的挑战。随着掩膜数量的则更加,以及多重图案化方案越来越复杂,逻辑器件的清洗次数也在增长。
NAND工艺尺寸的缩减已经完成落脚到了3D NAND层数的增加上。由于阶梯成型需要CMP清洗,3D NAND器件的清洗次数也在不断增加。

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