在第14张和第15张幻灯片中，我介绍了一些主要的3D NAND工艺模块，并讨论了这些模块对清洗和湿条带的需求。
幻灯片16展示了3D NAND的总清洗次数与三星3D NAND工艺的层数。3D NAND清洗次数之所以随着层数增加而增加，主要是因为阶梯成型时的CMP清洗。在第一阶梯掩模之后，每个后续掩模都需要在施加掩膜之前通过CMP清洗将层平坦化。
结论
DRAM工艺尺寸的缩减正在面临基本的物理限制，目前还有没有明确的解决方案，由于印刷需求的推动，DRAM的清洗复杂度也在增加。
随着行业向5nm和3nm的推进，逻辑器件的工艺尺寸将持续缩减。纳米线和纳米片将对清洗带来新的挑战。随着掩膜数量的则更加，以及多重图案化方案越来越复杂，逻辑器件的清洗次数也在增长。
NAND工艺尺寸的缩减已经完成落脚到了3D NAND层数的增加上。由于阶梯成型需要CMP清洗，3D NAND器件的清洗次数也在不断增加。
